技術(shù)編號(hào)：8489001
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。硅基異質(zhì)結(jié)電池片是目前高效太陽(yáng)能電池片研發(fā)的方向之一。硅基異質(zhì)結(jié)電池片的襯底一般以N-型單晶硅片為主，一面通過(guò)與用PECVD方法沉積的非晶硅薄膜形成P-N結(jié)作為發(fā)射極，另一面用以相同方法沉積的同類型的非晶硅層作為背接觸。P-N結(jié)的形成是在兩種不同材料之間，一種是帶寬約在1.12eV的單晶硅，另一種是帶寬約在1.72eV的非晶硅薄膜。由于帶寬的差異，兩種材料界面形成的結(jié)稱為異質(zhì)結(jié)。對(duì)于異質(zhì)結(jié)電池片，由于兩種成結(jié)材料帶寬的較大差異，導(dǎo)致這類電池片具備較高的開(kāi)路...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。