技術(shù)編號：8489011
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 干法蝕刻是利用蝕刻氣體在電場加速作用下形成等離子體中的活性基，與被腐蝕 材料同時進行物理式撞擊瓣蝕及化學反應(yīng)，來移除欲蝕刻部份，被蝕刻的物質(zhì)變成揮發(fā)性 的氣體，經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離；蝕刻的產(chǎn)品均勻度越低，則產(chǎn)品的良率越高，干法蝕刻的均勻度 受氣體種類、流量、電漿源及偏壓功率所的影響，通常，對于四元L邸巧片的干法蝕刻方法 所選用的氣體流量為lOsccm或20sccm，在電漿源、偏壓功率和蝕刻時間等條件相同的情況 下，氣體流量為lOsccm時的均勻度為1. 92%...
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