技術(shù)編號:8489049
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。存儲器件,主要分為揮發(fā)性和非揮發(fā)性兩大類,被廣泛的用于集成電路和電子產(chǎn)品中。到目前為止,非揮發(fā)性的Flash存儲器仍然占據(jù)著半導(dǎo)體存儲器市場。然而,F(xiàn)lash存儲器技術(shù)在尺寸繼續(xù)縮小的過程中,遇到的困難越來越多,因此一些新型非揮發(fā)性存儲器受到了重視。基于金屬-介質(zhì)-金屬(M-1-M)結(jié)構(gòu)的阻變存儲器(RRAM,resistive switchingmemory)是一類重要的新型非揮發(fā)性存儲器。這類存儲器件具有高可靠性、高密度、低功耗等優(yōu)點,因此在便攜式電子...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。