技術(shù)編號(hào):8499292
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著微電子技術(shù)發(fā)展,要使器件集成水平進(jìn)一步提高,有兩個(gè)途徑,一是進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸,按照摩爾定律所指引的方向繼續(xù)走下去,但必須采用更精湛的微細(xì)加工技術(shù),并受到器件物理極限的挑戰(zhàn);二是采用新型材料,以放寬對(duì)芯片特征尺寸進(jìn)一步縮小的要求,提高器件性能。SOI (SiIicon-On-1nsulator,絕緣襯底上娃)技術(shù)就是第二種途徑最代表性和競爭力的解決方案。SOI技術(shù)是在頂層硅與襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜,SOI材料具有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。