技術(shù)編號：8499333
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。至今，使用在功率電子應(yīng)用中的晶體管已典型地用硅(Si)半導(dǎo)體材料來制造。常見的用于功率應(yīng)用的晶體管器件包含Si CooIMOS, Si功率M0SFET、和Si絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。最近以來已考慮碳化硅(SiC)功率器件。諸如氮化鎵(GaN)器件的II1-N族半導(dǎo)體器件現(xiàn)在正顯現(xiàn)為有吸引力的候選以承載大電流、支撐高電壓并且提供非常低的開啟電阻和快的開關(guān)時間。發(fā)明內(nèi)容在實施例中，III族氮化物基增強模式晶體管包含異質(zhì)結(jié)鰭片(fin)結(jié)構(gòu)。異質(zhì)結(jié)鰭片結(jié)構(gòu)...
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