技術編號:8513742
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著各種電子產品的蓬勃發(fā)展及功能需求的提高,使得當前全球存儲器市場需求急速擴張,其中又以非揮發(fā)性存儲器(Non-Volatile Memory, NVM)的快速成長最引人注目。為了應對此產業(yè)變化,全球各大廠與研究機構對于下一個世代存儲器技術開發(fā)均早已如火如荼般地展開。在各種可能的技術中,電阻式隨機存取存儲器(Resistive Random AccessMemory,RRAM)具有結構簡單、寫入操作電壓低、可高速操作以及非揮發(fā)性等特性,因此電阻式隨機存取存...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。