技術(shù)編號:8524438
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。氮化鋁銦(AlInN或InAlN)為本質(zhì)n-type半導(dǎo)體,其能隙可根據(jù)不同的化學(xué)組成而調(diào)變,范圍由0.7eV至6.2eV。由于所涵蓋的能隙范圍十分寬廣,故可應(yīng)用于高功率與高頻元件、發(fā)光二極體(LED)或是全光域的半導(dǎo)體太陽能電池。對于富鋁(Al-rich)的AlInN,當(dāng)In的組成為17%?18%時,由于其與GaN的晶格完全匹配,無壓電極化效應(yīng),只有自發(fā)極化效應(yīng),因此被視為發(fā)展HEMT (high electron mobility transistor...
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