技術(shù)編號:8554846
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 通過EFG方法生長β -Ga2O3單晶是已知的(例如參見非專利文獻 uGrowth of β -Ga2O3Single Crystals by the Edge-Defined Film Fed Growth Method",Hideo Aida,Kengo Nishiguchij Hidetoshi Takeda,Natsuko Aotaj Kazuhiko Sunakawaj Yoichi Yaguchi,Japanese Journal of Ap...
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