技術(shù)編號：8554847
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造和半導(dǎo)體材料，特別是涉及AlN單晶襯底的生產(chǎn)設(shè)備及使用方法。背景技術(shù)GaN, AlN以及二者的合金AlGaN是制作紫外到深紫外波段的發(fā)光二極管(LEDs)、激光二極管(LDs)、探測器以及高頻、高溫、大功率電子器件的優(yōu)良材料。由于缺乏同質(zhì)襯底，這些器件通常都在異質(zhì)襯底如硅(Si)、碳化硅(SiC)或藍寶石上制備。然而異質(zhì)襯底和外延層之間存在較大的晶格失配和熱失配，導(dǎo)致外延薄膜中存在較多的位錯等缺陷，進而限制了所制備器件的性能和使用壽...
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