技術(shù)編號(hào)：8574633
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長金剛石單晶時(shí)，籽晶放置在籽晶托盤的凹坑內(nèi)。目前所用的籽晶托盤有兩種，一種是具有四方形垂直凹坑的圓柱狀籽晶托盤，簡稱托盤I ;另一種是具有倒圓錐體狀凹坑的圓柱狀籽晶托盤，簡稱托盤2。托盤I的凹坑形狀是四方體狀，籽晶放置在凹坑內(nèi)，由于凹坑邊緣呈90度垂直向下，凹坑邊緣處的電磁場很不連續(xù)，對應(yīng)的等離子體密度過大，導(dǎo)致籽晶四周的生長速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于中心處的生長速率，籽晶的生長面不平整，嚴(yán)重影響金剛石單晶的品質(zhì)。托盤2的凹坑形狀呈倒圓錐體狀...
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