技術(shù)編號(hào)：86196
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及光電材料和器件領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵(GaN)單晶襯底制備方法。 背景技術(shù)GaN基III-V族氮化物是重要的直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于其特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電學(xué)性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，在藍(lán)、綠、紫、紫外光及白光發(fā)光二極管(LED)、短波長(zhǎng)激光二極管(LD)、紫外光探測(cè)器和功率電子器件等光電子器件和電子器件以及特殊條件下的半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用前景，吸引著人們的濃厚興趣。 目前生長(zhǎng)GaN襯底的主要方法有高溫高壓下，氮?dú)馀c金屬鎵的直接反應(yīng)制備法、或者利用助溶劑方法在較低...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。