技術(shù)編號(hào)：8820597
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。等離子體化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n, PECVD)技術(shù)是利用等離子體放電產(chǎn)生帶電粒子、自由基、活性基團(tuán)等物質(zhì)在基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉積薄膜的技術(shù)。因?yàn)榈入x子體激發(fā)了反應(yīng)氣體分子的活性，使沉積薄膜工藝的溫度變低，而且沉積速率快，所生長(zhǎng)薄膜致密性好，缺陷少，工藝重復(fù)性好而被廣泛應(yīng)用。最早應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片加工工業(yè)中，用于沉積氧化硅、氮化硅薄膜。在PECVD的工藝中，需要對(duì)硅片(電池片)取放，然而現(xiàn)...
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