技術(shù)編號：8830329
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，大部分電磁加熱方案中，例如電磁爐的加熱控制中，如圖1所示，開關(guān)器件例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開通控制，一般是通過分壓電路10’采集并聯(lián)LC諧振電路20’的兩端分壓，進(jìn)而將分壓通過比較器30’進(jìn)行比較，輸出控制信號，由控制單元40’例如MCU(Micro Control Unit，微控制單元)控制IGBT開通。但是，對于實際產(chǎn)品，上述開關(guān)器件的控制方式，容易受到線圈盤間距、鍋...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。