技術(shù)編號：8830330
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。目前，單IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)電磁諧振電路一般采用并聯(lián)諧振方式，其采用運行在實現(xiàn)大功率前提下的諧振參數(shù)時，如果在連續(xù)低功率段運行，則會出現(xiàn)以下問題(I) IGBT超前開通，開通瞬間IGBT瞬態(tài)電流峰值高，容易超過IGBT電流峰值規(guī)格限制，從而損壞IGBT ；(2) IGBT發(fā)熱嚴重，需要加強對IGBT散熱(如增大散熱片、增加風機轉(zhuǎn)速等)以實現(xiàn)IGBT的溫升要求。實用新型內(nèi)容本實用...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。