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技術(shù)編號：8830336

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目前，單IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)電磁諧振電路一般采用并聯(lián)諧振方式，其采用運(yùn)行在實(shí)現(xiàn)大功率前提下的諧振參數(shù)時，如果在連續(xù)低功率段運(yùn)行，則會出現(xiàn)以下問題(I) IGBT超前開通，開通瞬間IGBT瞬態(tài)電流峰值高，容易超過IGBT電流峰值規(guī)格限制，從而損壞IGBT ；(2) IGBT發(fā)熱嚴(yán)重，需要加強(qiáng)對IGBT散熱(如增大散熱片、增加風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速等)以實(shí)現(xiàn)IGBT的溫升要求。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用...
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該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。

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