技術(shù)編號:8838128
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本實用新型涉及了一種集成電路硅通孔的測量結(jié)構(gòu),尤其是涉及了微波、毫米波 段器件測試領(lǐng)域的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu),削弱硅通孔和與其連 接的水平互聯(lián)線的耦合噪聲,進而顯著提高去嵌入法測量電特性精度。背景技術(shù) 目前主流集成電路的設(shè)計,包括英特爾的多芯片架構(gòu),延續(xù)的仍然是傳統(tǒng)的二維 扁平系統(tǒng)架構(gòu),但隨著晶體管的特征尺寸不斷減小,互連線性能的瓶頸效應(yīng),以及摩爾定律 對尺寸極限的制約,呼喚一種新的集成電路系統(tǒng)架構(gòu)的出現(xiàn),以便充分體現(xiàn)其立體的垂直 ...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。