技術(shù)編號(hào)：8886947
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。VDM0SFET(高壓功率M0SFET)可以通過減薄漏端漂移區(qū)的厚度來減小導(dǎo)通電阻，然而，減薄漏端漂移區(qū)的厚度就會(huì)降低器件的擊穿電壓，因此在VDM0SFET中，提高器件的擊穿電壓和減小器件的導(dǎo)通電阻是一對(duì)矛盾，超結(jié)MOSFET采用新的耐壓層結(jié)構(gòu)，利用一系列的交替排列的P型和N型半導(dǎo)體薄層，在較低反向電壓下將P型N型區(qū)耗盡，實(shí)現(xiàn)電荷相互補(bǔ)償，從而使N型區(qū)在高摻雜濃度下實(shí)現(xiàn)高的擊穿電壓，從而同時(shí)獲得低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，打破傳統(tǒng)功率MOSFET導(dǎo)通電阻的理論...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。