技術(shù)編號：8923971
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。寬帶隙GaN基材料因其擊穿電場高、飽和速度快、熱導率高等優(yōu)勢而成為第三代半導體材料，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。近年來，GaN基HFET和HBT均吸引了眾多學者研宄。目前GaN基HFET已經(jīng)取得了飛躍發(fā)展，其截至頻率已超過200GHz，并已實現(xiàn)了超高壓工作(千伏以上)。相比GaN基HFET，GaN基HBT具有更顯著的優(yōu)勢，其具有更高的功率密度、線性的電流增益、均勻的器件開關(guān)特性，更重要的是GaN基HBT是一種常關(guān)器件。另外，不同于Ga...
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