技術(shù)編號(hào)：8924004
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 為了提高晶體娃太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率，應(yīng)該減少電池表面光的反射損失， 增加光的透射，減反射膜的制作直接影響著太陽(yáng)能電池對(duì)入射光的反射率，對(duì)太陽(yáng)能電池 效率的提高起著非常重要的作用，目前大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化采用等離子體氣相化學(xué)沉積PECVD設(shè) 備直接在擴(kuò)散后的娃片表面進(jìn)行氮化娃沉積，如申請(qǐng)公告號(hào)為CN102306680A、名稱為晶體 娃太陽(yáng)能減反射膜制備工藝的中國(guó)發(fā)明專利，就公開了一種晶體娃太陽(yáng)能電池片減反射膜 的制備工藝，其采用多次沉氮化娃膜，形成較厚的減反射...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。