技術(shù)編號(hào)：8944485
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子，具體涉及一種高介電常數(shù)薄膜-氧化鋁疊層結(jié)構(gòu)絕緣薄膜及其溶膠凝膠制備方法。背景技術(shù)對(duì)于薄膜晶體管的絕緣層，傳統(tǒng)意義上其均選用S12或者S1N，但是隨著器件小尺寸化發(fā)展，當(dāng)S12絕緣層減薄到一定厚度時(shí)，如當(dāng)S12小于2nm時(shí)，其在IV柵壓下由于電子直接隧穿效應(yīng)導(dǎo)致的柵極漏電流高達(dá)lA/cm2，且電路的功率損耗也會(huì)增大至不能接受的量級(jí)。從二十世紀(jì)九十年代開始，S12絕緣層材料的應(yīng)用極限就已經(jīng)達(dá)到，研究者開始存找可以用來替代的高介電常數(shù)材料。選用...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。