技術(shù)編號：8944598
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著集成電路的進(jìn)一步發(fā)展，芯片特征尺寸的進(jìn)一步縮小，單個芯片上集成的器件數(shù)目的進(jìn)一步增多，功耗越來越受到人們的關(guān)注。根據(jù)ITRS數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)特征尺寸縮小到32nm節(jié)點(diǎn)時，功耗會是預(yù)計趨勢的8倍，即隨著特征尺寸的逐步縮小，傳統(tǒng)的MOS器件就功耗方面將不能滿足需求。另外，場效應(yīng)晶體管MOSFET尺寸的減小面臨著室溫下亞閾值斜率最小為60mV/deCade的限制?；诹孔铀泶┬?yīng)的隧穿場效應(yīng)晶體管TFET與MOSFET相比，沒有亞閾值斜率最小為eOmv/deca...
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