技術(shù)編號：8944606
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。功率半導(dǎo)體器件在電力電子領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，可以提高設(shè)備效率，更加節(jié)能，同時可以提高集成度，減小設(shè)備體積。常用的功率半導(dǎo)體器件如GaAs、GaN, SiC等材質(zhì)的器件，耐壓各有不同。通過對功率半導(dǎo)體器件工作原理分析，柵極與漏極之間電壓差較大，器件在高電壓下?lián)舸┑奈恢猛ǔＴ跂艠O根部、靠近漏極的位置半導(dǎo)體層擊穿，通常擊穿電壓在100V以下。而半導(dǎo)體層的材料，以GaN為例，耐壓理論值為3.3X 106V/cm,以柵極、漏極間距1um來計算，器件耐壓理論值也在...
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