技術(shù)編號：8944624
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。SiC是繼第一代(Si)和第二代(GaAs)半導體材料之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。與其傳統(tǒng)體材料相比，低維SiC納米結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的物理和化學性能，比如高的禁帶寬度、高的熱導率和電子飽和迀移率、小的介電常數(shù)和較好的機械性能等特性?；谏鲜霆毺匦阅埽琒iC低維納米結(jié)構(gòu)特別適用于苛刻工作環(huán)境如高溫、高頻、大功率、光電子和抗輻射器件，在制備高性能復合材料、高強度小尺寸復合材料構(gòu)件、表面納米增強復合材料以及構(gòu)筑納米光電器件等方面具有非常誘人的應用前景，近十年來頗...
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