技術(shù)編號：9037555
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。碳化硅外延爐是用來生長碳化硅外延晶片的反應(yīng)室，通常采用CVD(化學(xué)氣相沉積)的方法來生長碳化硅外延晶片，碳化硅的CVD設(shè)備有很多種類型，其中暖壁式CVD因其結(jié)構(gòu)簡單、產(chǎn)能大而日益被市場所接受，是目前國際上主流的碳化硅外延生長設(shè)備，在商業(yè)碳化娃外延爐中，德國Aixtron公司的2400或2800系列碳化娃外延爐，采用大抽速的干泵通過尾氣管道把腔體壓力抽到生長所需要的壓力，通過快速升溫使得腔體的生長溫度達(dá)到1500-1600攝氏度左右，生長反應(yīng)過程中剩余的氣體...
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