技術(shù)編號(hào)：9107236
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于中低壓功率MOSFET器件，都是采用一種外延片規(guī)格對(duì)應(yīng)一種耐壓需求的產(chǎn)品。比如電阻率為0.75ohm.cm，厚度為6.5um的一種N型外延娃片，可以用它來(lái)做一款耐壓在65伏到70伏的溝槽型功率MOSFET產(chǎn)品。但是如果要一款耐壓在70伏到75伏，或者耐壓在60伏到65伏耐壓的產(chǎn)品，則需要重新定義一款新的規(guī)格外延硅片。這樣同一款外延片通用性上會(huì)受到很大的限制。如有臨近電壓需求的新產(chǎn)品，幾乎都是通過(guò)重新采購(gòu)新的外延片來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖1至3所示，是...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。