技術(shù)編號(hào)：9126499
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的縮放比例(scaling)面臨著許多挑戰(zhàn)。例如，閾值擺動(dòng)劣化、大的漏致勢(shì)皇降低(DIBL)、器件特征波動(dòng)以及泄露是其中通過3D器件結(jié)構(gòu)可解決的最常見的問題。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)是可用于納米尺度的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和高密度存儲(chǔ)器應(yīng)用中的3D器件結(jié)構(gòu)。FinFET器件被分為兩種類型塊體finFET和絕緣體上硅(SOI) finFET。在14nm和/或16nm技術(shù)更為普遍的塊體fi...
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