技術(shù)編號(hào):9140207
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在以娃通孔(Through silicon via)為技術(shù)特征的先進(jìn)封裝技術(shù)中,最大難點(diǎn)之一莫過(guò)于硅通孔12內(nèi)金屬柱3的露出。一般的,硅通孔12內(nèi)的金屬柱3露出采用化學(xué)-機(jī)械拋光的方式進(jìn)行。但該方式存在機(jī)械拋光方法所導(dǎo)致的鈍化層21破裂,拋光引起的金屬離子嵌入到鈍化層21中形成漏電的問(wèn)題,如圖1所示,上述問(wèn)題一般集中發(fā)生于金屬柱3暴露的開(kāi)口區(qū)域或臨近開(kāi)口的區(qū)域,如圖中標(biāo)示的I區(qū),嚴(yán)重影響了硅通孔互連結(jié)構(gòu)的可靠性。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述工藝...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。