技術(shù)編號：9201470
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。為了增強對半導(dǎo)體裝置內(nèi)給定空間的利用，已經(jīng)提出了在單個封裝體中層疊且封裝多個芯片的三維(3D)半導(dǎo)體裝置。通過垂直地層疊兩個芯片或更多芯片，3D半導(dǎo)體裝置實現(xiàn)了給定空間內(nèi)的最大集成。3D半導(dǎo)體裝置可以具有層疊的多個芯片(相同類型的芯片)。這些芯片還可以通過電線、金屬線或邊緣布線彼此耦接。多個芯片還可以通過使用“硅穿通孔”(ThroughSilicon Via, TSV)彼此耦接。通過使用“通孔”垂直地穿透多個層疊的芯片，TSV可以用來電耦接所有的層疊芯片。...
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