技術(shù)編號(hào):9201495
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。快閃存儲(chǔ)器、DRAM等的半導(dǎo)體裝置中,集成度逐年增加,要制造出良好或沒(méi)有缺陷的存儲(chǔ)元件變得困難。因此,在存儲(chǔ)器芯片上會(huì)利用一種冗余機(jī)制,來(lái)補(bǔ)償在制造過(guò)程中發(fā)生的存儲(chǔ)器元件的物理性缺陷。例如,在一種冗余機(jī)制中,通過(guò)設(shè)置冗余存儲(chǔ)器來(lái)補(bǔ)償具有物理性缺陷的存儲(chǔ)元件。而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器除了使用冗余存儲(chǔ)器來(lái)進(jìn)行物理性補(bǔ)償外,也會(huì)使用錯(cuò)誤檢測(cè)修正電路(ECCError Checking Correct1n)來(lái)作為軟件錯(cuò)誤的處理對(duì)策。NAND型快閃存儲(chǔ)器中,反復(fù)地程序化或抹去...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。