技術(shù)編號(hào):9204490
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說(shuō)明具有高電壓輸入能力的單端比較器電路 背景 [000引 領(lǐng)域 本公開(kāi)的各方面一般設(shè)及比較器電路。更具體地,本公開(kāi)包括能夠接收高電壓輸 入信號(hào)的低功率單端比較器電路,其中該電路是使用低電壓半導(dǎo)體器件來(lái)實(shí)現(xiàn)的。背景技術(shù) 隨著MOS半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn),晶體管特征尺寸正變得更小W增大電路工作頻率并 且提高功率效率。另一方面,減小晶體管尺寸要求減小供電電壓和CMOS柵極氧化物厚度, W使得能夠?qū)崿F(xiàn)恒定的電場(chǎng)縮放。因此,隨著M0S半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn),較新的半導(dǎo)體器件...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。