技術(shù)編號(hào)：9218630
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別是涉及。背景技術(shù)隨著各種移動(dòng)設(shè)備中對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求的日益增大，對(duì)能在斷電情況下仍然保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(非易失性存儲(chǔ)器)的需求越來越大?？扉W存儲(chǔ)器(FlashMemory，簡(jiǎn)稱閃存)是一種發(fā)展很快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它既具有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器讀取速度快、存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn)，又克服了 DRAM和SRAM那樣切斷電源便損失所存數(shù)據(jù)的缺陷。它與EPROM、EEPROM—樣可以改寫，又比它們?nèi)菀赘膶懬覂r(jià)格相對(duì)便宜?？扉W存儲(chǔ)器自從1...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。