技術(shù)編號(hào):9218673
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。禁帶寬度較大的4H型的碳化硅(SiC)代替硅(Si)作為半導(dǎo)體元件的材料受到關(guān)注。此外,4H型的碳化硅其絕緣耐壓比硅大。因此,如果使用4H型的碳化硅,則能夠形成高耐壓的元件。但是,在使用硅作為半導(dǎo)體材料的情況下,pn結(jié)的內(nèi)建電位是IV左右,相對(duì)于此,在使用4H型的碳化硅作為半導(dǎo)體材料的情況下,pn結(jié)的內(nèi)建電位為3V左右。因此,在使用4H型的碳化硅的MOSFET中,內(nèi)置二極管的導(dǎo)通電壓為3V左右。由此,內(nèi)置二極管的導(dǎo)通損失變大。進(jìn)而,在使用4H型的碳化硅的p...
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