技術編號：9221765
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 半導體晶片的金屬污染對成品的設備特性具有惡劣影響?？梢鸾饘傥廴镜墓ば?是晶片制造工序中的各種熱處理，例如晶片氧化、擴散、外延生長等。例如，如果Fe、Ni等重 金屬因熱處理而污染進入硅晶片中，則在帶隙中形成深電平而作為載體捕獲中心或再結合 中心運作，在設備中產(chǎn)生p-n結漏泄以及縮減壽命。因此，為了提供金屬污染少、高質(zhì)量的 半導體晶片，需要在熱處理后進行一種評價半導體晶片的金屬污染的高可靠性方法。 與此相關聯(lián)，日本特開2009-302337號公報的所有內(nèi)容...
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