技術(shù)編號：9236797
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體以其禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、飽和電子速度大和異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣濃度高等特性，使其受到廣泛關(guān)注。盡管第三代半導(dǎo)體材料與器件取得了重大的進(jìn)展，并且已經(jīng)進(jìn)入了實(shí)用化階段，但是由于SiC和GaN材料存在許多缺陷使得其在大范圍內(nèi)應(yīng)用仍然受到很大的限制。為此，在SiC和GaN材料生長、器件制造和推廣應(yīng)用的基礎(chǔ)上，人們也在不斷尋找本身具有同質(zhì)襯底、材料性能優(yōu)良、價(jià)格便宜的半導(dǎo)體材料能夠彌補(bǔ)上述兩種材料的不足，同時(shí)禁帶...
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