技術(shù)編號：9236802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。碳化硅(SiC)具有大禁帶寬度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率和高電子飽和漂移速度等特點，因此其在大功率、高溫以及高頻的電力電子領(lǐng)域有非常廣闊的應(yīng)用前景。目前在以SiC為襯底的場效應(yīng)管中，垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(VDMOS)是被廣泛研宄的對象之一。相比于其他寬禁帶半導(dǎo)體材料(如GaN)，SiC具有一個十分明顯的優(yōu)勢就是可以通過熱生長直接形成S12 (二氧化硅)，這使得碳化硅器件可輕易的繼承在硅器件中已廣泛使用的MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)以及相關(guān)...
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