技術(shù)編號:9262136
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 在對基板上的膜進行蝕刻的等離子體處理裝置中,為了提高形成在基板上的圖案 的面內(nèi)均一性(蝕刻的均一性),設(shè)置包圍基板的聚焦環(huán)(例如,專利文獻1、2)。聚焦環(huán)伴 隨著使用經(jīng)過的時間,由于等離子體被蝕刻消耗,因此,形成在基板上的圖案的面內(nèi)均一性 降低。因此,聚焦環(huán)對應(yīng)著其使用時間需要定期更換。 在先技術(shù)文獻 專利文獻 專利文獻1 日本特開2008-78208號公報 專利文獻2 日本特開2003-229408號公報發(fā)明內(nèi)容 但是,聚焦環(huán)不是通過監(jiān)視聚焦環(huán)的消耗度...
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