技術(shù)編號：9262168
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體中，光刻工藝是半導(dǎo)體器件的制造過程中所必不可少的工藝。在刻蝕過程中，刻蝕副產(chǎn)物(或不需要的膜層)往往形成在晶片(或晶圓)的邊緣區(qū)域，這些副產(chǎn)物會直接影響器件(尤其是晶片邊緣區(qū)域的器件)的良率。為了提高器件的良率，通常需要對晶片邊緣(簡稱晶邊)進(jìn)行刻蝕處理。晶邊刻蝕工藝由于可以減少缺陷(defect)、放電(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessive stress)的來源,提升良率，因而獲得了廣泛的關(guān)注。其中，有源區(qū)(AA)晶邊刻蝕是半導(dǎo)體制造中...
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