技術(shù)編號(hào)：9262173
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及從通過提拉法生長(zhǎng)的硅錠切出的硅晶片的熱處理方法及其硅晶片。背景技術(shù) 近年來，伴隨著半導(dǎo)體器件的高集成化，對(duì)于被用作其基板的硅晶片（以下，稱為 晶片），晶片表層的器件活性區(qū)域（從表面至7ym左右的深度區(qū)域）的晶體完整性的提高、 晶片表層和晶片內(nèi)部（指除了晶片表層以外的部分，以下，稱為主體）的充分的機(jī)械強(qiáng)度的 確保、在晶片面內(nèi)整體的品質(zhì)均勻性等品質(zhì)要求變得更加嚴(yán)格。 為了提高晶體完整性，例如如專利文獻(xiàn)1所示，進(jìn)行保持在高溫下的間歇式熱處 理爐內(nèi)的熱...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。