技術(shù)編號：9262177
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC)具有優(yōu)越的物理和電學(xué)特性，如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、 高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。因而SiC基開關(guān)器件超越Si功率器件的極限，并在高功率、高頻、高溫電 力電子領(lǐng)域占據(jù)絕對優(yōu)勢。 SiC是目前唯一可以氧化形成Si〇d9化合物半導(dǎo)體，然而在SiC和SiO2界面存在 著很高的界面態(tài)密度，它們不僅減少了SiC基M0S器件溝道中導(dǎo)電載流子，同時會形成散射 中心進(jìn)一步降低溝道迀移率，使得器件的導(dǎo)通電阻高，工作頻率低。即使存在如JFET類的 器件來避免M0...
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