技術(shù)編號(hào)：9262407
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。如圖1及圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)常見(jiàn)的四元系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，在基板10 —面上生長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)20，在發(fā)光結(jié)構(gòu)20上形成第一電極30，在第一電極30四周形成粗化層40，粗化層40與第一電極30直接接觸，在基板10另一面形成第二電極50。所述四元系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在制作時(shí)，在基板10上如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、分子束外延(MBE)等方法生長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)20 ;用蒸鍍或?yàn)R射等方式，在發(fā)光結(jié)構(gòu)20上形成金屬層；通過(guò)曝光、顯影、蝕刻工藝，制作出第一電極30 ;然后用熱...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。