技術(shù)編號：9274418
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。基于閃存芯片的固態(tài)盤相對于傳統(tǒng)磁盤具有高讀寫速度、低能耗以及抗震性等優(yōu)點。為了提高固態(tài)盤的容量密度，多層單元(Mult1-Level Cell，MLC)技術(shù)，即一個存儲單元中存儲兩個或兩個以上的比特信息，被廣泛地應(yīng)用于固態(tài)盤；同時固態(tài)盤的工藝尺寸正在持續(xù)縮小，這些都將會導致固態(tài)盤的使用壽命下降。固態(tài)盤的使用壽命主要受其底層結(jié)構(gòu)限制。閃存的存儲單元包含著一層氧化層，該氧化層可以保存電子，根據(jù)保存的電子數(shù)量顯現(xiàn)出不同的電荷狀態(tài)，從而保存比特信息。固態(tài)盤的擦寫操...
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