技術(shù)編號：9275615
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。已涂敷雜質(zhì)源的晶片在常溫下是不能形成半導(dǎo)體器件所需的PN結(jié)，必須置于擴散爐在高溫下進(jìn)行擴散。將晶片用石英勾手動送至擴散爐恒溫區(qū)，晶片移動速率不均勻，硅片易產(chǎn)生形變，造成擴散后硅片脫片過程中碎片多，同時擴散后硅片結(jié)面不平整，結(jié)深不均O發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種擴散進(jìn)出爐自動推拉舟系統(tǒng)裝置，設(shè)計簡單，使用方便，保證晶片在進(jìn)出爐過程中內(nèi)外溫差較小，有利于減小熱應(yīng)力，擴散后硅片碎片少，且結(jié)面線性良好，結(jié)深一致性好。為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提出了...
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