技術(shù)編號：9278587
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 除非在本文中另外表明，否則本部分中所述的方法對于本申請中的權(quán)利要求來說 不是現(xiàn)有技術(shù)并且不由于包括在本部分中而被承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。 IC制造中的制程變異（PV)指的是一般由于制造制程的性質(zhì)而導(dǎo)致的IC參數(shù)值與 標(biāo)稱規(guī)范的偏差。深亞微米技術(shù)中的PV的存在對于集成電路（IC)能量優(yōu)化嘗試已經(jīng)變?yōu)?了主要關(guān)注點(diǎn)。一些現(xiàn)有的補(bǔ)償PV的影響的前硅IC優(yōu)化應(yīng)用統(tǒng)計(jì)分析來捕捉PV影響并 且補(bǔ)償IC設(shè)計(jì)中的影響。這些方法一般不是各種設(shè)計(jì)和技術(shù)通用的，并且它們可能受在設(shè) 計(jì)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。