技術(shù)編號(hào):9305654
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。SOI橫向功率器件具有高速、低功耗、抗輻照等優(yōu)點(diǎn),在智能功率集成電路中得以廣泛應(yīng)用。但較低的縱向耐壓,限制了其在高壓功率集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用。針對(duì)上述問(wèn)題,本領(lǐng)域提供了諸多解決方案,其核心思路是基于下述物理學(xué)發(fā)現(xiàn)娃厚度小于0.5微米時(shí),娃的縱向臨界擊穿電場(chǎng)會(huì)隨娃厚度減小而迅速增加。利用這一原理,超薄SOI器件結(jié)合漂移區(qū)線(xiàn)性變摻雜技術(shù)能大大提高器件靜態(tài)耐壓。此類(lèi)解決方案的缺點(diǎn)在于靠近源端的漂移區(qū)摻雜濃度過(guò)低,導(dǎo)致比導(dǎo)通電阻過(guò)大,而且如果按動(dòng)態(tài)耐壓優(yōu)化摻雜濃度,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。