技術(shù)編號：9305657
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 肖特基勢皇二極管（SBD)是單極器件，因此，與通常的雙極二極管相比，能夠降低 開關(guān)損耗，但是現(xiàn)有的以硅（Si)半導(dǎo)體為構(gòu)成材料的SBD在實際應(yīng)用時的耐壓僅能達(dá)到小 于或等于50V左右，因此，不適合于高電壓的逆變器等用途。因此，通過取代硅而以碳化硅 (SiC)作為SBD的構(gòu)成材料，從而能夠?qū)崿F(xiàn)幾kV左右的耐壓，因此，近年來，由碳化硅構(gòu)成的 SBD(SiC-SBD)的開發(fā)得到關(guān)注。 已知在SiC-SBD中，為了實現(xiàn)耐壓的提高，在N型的碳化硅半導(dǎo)體層內(nèi)的所謂的...
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