技術(shù)編號：9305678
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。由于Si具有工藝成熟、價格便宜、機械強度高及易于大尺寸化等優(yōu)點，在Si上外延II1-V族半導(dǎo)體材料，尤其是GaAs，十分有吸引力。如果能夠?qū)崿F(xiàn)Si上高質(zhì)量GaAs材料的外延生長，將能夠大幅降低GaAs太陽能電池、光電子探測器等重要半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本，并能夠?qū)崿F(xiàn)微電子與光電子的相互結(jié)合，具有廣闊的應(yīng)用前景。但是，在Si襯底上外延GaAs薄膜也存在著一些問題。一方面，Si的晶格常數(shù)比GaAs的要小，它們間具有超過4%的晶格失配，這會造成在生長時，GaAs中產(chǎn)...
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