技術(shù)編號：9308122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明設(shè)及化Pt-c系瓣射祀及其制造方法。 現(xiàn)有技術(shù) 化Pt合金由于通過在高溫（例如600°CW上）進行熱處理而可具備具有高的磁晶 各向異性的fct(OrderedFaceCenteredTetragonal,有序面屯、立方）結(jié)構(gòu)，因此作為磁記 錄介質(zhì)備受矚目。為了使該化Pt合金的薄膜中的化Pt粒子小且均勻，已提出在該化Pt薄 膜中含有規(guī)定量的碳（C)(例如專利文獻(xiàn)1)。 然而，專利文獻(xiàn)1中所記載的化Ptc薄膜的形成方法是使用2英寸直徑的化祀及 C勒及長...
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