技術(shù)編號：9328627
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC)是一種具有優(yōu)良的物理特性、電學(xué)特性的寬禁帶半導(dǎo) 體材料。它具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，因此非常適合于研制高溫、大功率、 高頻電力電子器件。 SiC是目前唯一可以氧化形成5102的化合物半導(dǎo)體，然而在SiC和SiO2W面存在 著很高的界面態(tài)密度。這主要是由于器件柵氧化物是通過氧化SiC形成的，在氧化過程中， SiC中的C元素部分氧化形成CO和CO2，在柵氧化物與SiC基底之間留下較多界面態(tài)，剩余 一些C元素未能氧化，...
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