技術(shù)編號：9344767
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。娃通孔技術(shù)(TSV，Through-Silicon-Via)是3D領(lǐng)域多芯片疊層化集成和電互聯(lián)的關(guān)鍵性技術(shù)，引領(lǐng)3D封裝的發(fā)展，其尺寸小，能耗低，芯片速度大幅改善，具有廣闊的應(yīng)用前景。TSV涉及許多關(guān)鍵技術(shù)，如通孔刻蝕，孔內(nèi)絕緣層的沉積，電鍍及芯片減薄等等。其中，孔內(nèi)絕緣層的沉積是重中之重，其可避免互聯(lián)材料銅與硅基底之間形成導(dǎo)電通道，對電學(xué)性能的提高非常關(guān)鍵。但TSV在封裝生產(chǎn)階段，絕緣層的沉積溫度需要小于200°C，甚至更低的溫度，才能滿足TSV在封裝生...
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