技術(shù)編號：9351495
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是目前集成電路中最基本的器件，工藝的進(jìn)步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，而其功率密度也一直在升高。我們常用的u盤等閃存芯片則采用了另一種稱為浮柵晶體管的器件。閃存又稱“非揮發(fā)性存儲器”，所謂“非揮發(fā)”，就是在芯片沒有供電的情況下，信息仍被保存不會丟失。這種器件在寫入和擦除時(shí)都需要有電流通過一層接近5納米厚的氧化硅介質(zhì)，因此需要較高的操作電壓(接近20伏)和較長的時(shí)間(微秒級)。硅基TFET晶體管使用了硅體...
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